ICS 31. 080.20 K46 中华人民共和国国家标准 GB/T13151—2005/IEC60747-6-3:1993 代替GB/T13151—1991 半导体器件分立器件 第6部分：晶闸管 第三篇电流大于 100 A、环境和管壳额定 的反向阻断三极晶闸管空白详细规范 Semiconductor devices--Discrete devices- Part 6: thyristors- Section three-Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors,ambient and case-rated,for currents greater than 100 A (IEC60747-6-3/QC750113:1993,IDT) 2005-03-23发布 2005-10-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 发布 GB/T 13151—2005/IEC 60747-6-3:1993 前 言 本标准是晶闸管空白详细规范系列国家标准之一，这一系列国家标准现包括： GB/T6352 半导体器件 分立器件 第6部分：闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或 管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范 GB/T6590 半导体器件 分立器件 第6部分：澜流晶体管 第二篇 100A以下环境或 管壳额定的双向三极闻流晶体管空白详细规范 GB/T13150 半导体器件 分立器件 电流大于100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管 空白详细规范 GB/T13151 半导体器件 分立器件 第6部分：晶闸管 第三篇 电流大于100A，环境 和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范 GB/T131535A以上环境或管壳额定可关断晶闸管空白详细规范 本标准等同采用IEC60747-6-3:1993《半导体器件 分立器件 第6部分：晶闸管 第三篇：电流 大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范》（英文版）。 本标准代替GB/T13151-1991《100A以上环境或管壳额定反向阻断三极晶闸管空白详细规范》。 本标准等同翻译IEC60747-6-3：1993。 为便于使用，本标准作了下列编辑性修改： a, “本国际标准”一词改为“本标准”； b) 引用的IEC标准一律改为等同或等效采用国际标准的国家标准 c) d) 在极限值表中补充了安装力矩和安装力的符号M和F； e) 按照IEC标准中方括号的用法，将原文中“whereappropriat"加不加括号和加圆括号、方括号 的不统一，统一成加方括号，即为"[适用时了”。 本标准(本版)与前版(GB/T13151-1991)相比，主要变化如下： 标准名称中增加了引导要素文字：“半导体器件 分立器件 第6部分：晶闸管 第三篇"并作 了个别文字修改（前版的封面和首页；本版的封面和首页）； 言")； 删去了第8章各表中的抽样方案及附录A追加抽样表，增加了对A、B、C、D组抽样要求的文 字说明(前版第8章各表和附录A；本版第8章方括号中的文字)； 在极限值参数表中，符号Vr、Vp、It、di/dt分别修改为Vp、Vpp、IrD、（di/dt)。（前版第4章； 本版第4章）； 在电特性参数表中，增加了tgr、Q、Im和t四个特性参数；符号du/dt修改为(dop/dt)a，IrM 和IpeM分别修改为IRM、IgRM和IDRI、IpkMz，（前版第5章；本版第5章）； A4分组中删去“tq"项目、C2c分组中删去了di/di项目；C4分组中增加了“耐焊接热"项目；B5 分组和C7分组修改为均按空腔、非空腔器件分别规定检验项目（前版第8章；本版第8章）。 本标准中引用的国家标准如下： GB/T2423.23—1995电工电子产品环境试验试验Q：密封 GB/T4589.1-1989半导体器件分立器件和集成电路总规范（idtIEC60747-10:1984) GB/T4937-1995半导体器件机械和气候试验方法（idtIEC60749:1984)