(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告 号 (45)授权公告日 (21)申请 号 20212345 3890.6 (22)申请日 2021.12.31 (73)专利权人 广东晶科电子股份有限公司 地址 511458 广东省广州市南沙区环市大 道南33号 (72)发明人 吴国锋　林志平　曾照明　高锦晖　 刘桂良　任剑锋　肖国伟　 (74)专利代理 机构 广州新诺专利商标事务所有 限公司 4 4100 专利代理师 罗毅萍　李小林 (51)Int.Cl. F21K 9/20(2016.01) F21K 9/90(2016.01) F21V 19/00(2006.01) F21V 23/00(2015.01)F21V 9/32(2018.01) H05K 3/34(2006.01) H01L 25/075(2006.01) H01L 33/58(2010.01) H01L 33/50(2010.01) F21Y 115/10(2016.01) (ESM)同样的发明创造已同日申请发明 专利 (54)实用新型名称 一种增强中心光强的COB模组光源 (57)摘要 一种增强中心光强的COB模组光源， 包括基 板、 线路层、 至少一发光二 极管芯片； 所述线路层 布置于所述基板， 所述发光二极管芯片布置于所 述线路层； 所述发光二极管芯片自所述基板的中 心呈发散状由内向外设置； 在所述发光二极管芯 片处设有将其包裹住的硅胶质荧光体。 通过改变 COB光源不同位置发光二 极管芯片的光线的输出 角度， 从中心往外的方向上， 发光二极管芯片的 发光角度逐渐变窄， 使 得发光面边缘光线发散程 度大大降低， 且更多地往中心区域折射， 从而更 多地聚集到中心区域， 整体收窄COB的出光角度， 显著增大中心光强。 权利要求书1页 说明书4页 附图3页 CN 217356526 U 2022.09.02 CN 217356526 U 1.一种增强中心光强的COB模组光源， 其特 征在于， 包括： 基板、 线路层、 至少一发光 二极管芯片； 所述线路层布置 于所述基板， 所述发光 二极管芯片布置 于所述线路层； 所述发光 二极管芯片自所述基板的中心呈发散状由内向外设置； 在所述发光 二极管芯片处设有将其包裹住的硅胶质荧 光体。 2.根据权利要求1所述的增强中心光强的COB模组光源， 其特征在于， 所述发光二极管 芯片自所述基板的中心由内向外呈多个圈型排列设置 。 3.根据权利要求2所述的增强中心光强的COB模组光源， 其特征在于， 所述硅胶质荧光 体为与单个所述 发光二极管芯片相对应包裹的硅胶帽， 所述硅胶帽包裹于所述发光二极管 芯片的四个侧面以及顶面， 所述硅胶帽内设有一种或多种荧 光转换材料。 4.根据权利要求3所述的增强中心光强的COB模组光源， 其特征在于， 所述硅胶帽采用 透明硅胶、 硅树脂、 环氧树脂一种或者几种组合的硅胶帽； 所述荧光转换材料为红色、 黄色、 绿色荧 光粉之中的一种或多种组合。 5.根据权利要求3所述的增强中心光强的COB模组光源， 其特征在于， 置于同一圈型位 置的所述硅胶帽的高度相同， 且自所述基板的中心由内向外的方向， 所述硅胶帽的高度依 次增高。 6.根据权利要求2所述的增强中心光强的COB模组光源， 其特征在于， 所述圈型的形状 为圆形、 正方 形、 长方形、 三角形、 菱形中的一种或者几种组合。 7.根据权利要求2所述的增强中心光强的COB模组光源， 其特征在于， 所述硅胶质荧光 体为与同一圈型位置的所述 发光二极管芯片包裹的硅胶环， 所述硅胶环内设有一种或多种 荧光转换材料。 8.根据权利要求7所述的增强中心光强的COB模组光源， 其特征在于， 置于同一圈型位 置的所述硅胶环的高度相同， 且自所述基板的中心由内向外的方向， 所述硅胶环的高度依 次增高。 9.根据权利要求1所述的增强中心光强的COB模组光源， 其特征在于， 所述发光二极管 芯片为蓝光、 红光、 红外光、 黄光、 绿光、 紫外光的LED发光 二极管芯片的一种或者几种组合； 所述基板为金属基板、 陶瓷基板或多种复合型 材料制作的基板中的一种或多种组合。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 217356526 U 2一种增强中心光强的COB模组光源 技术领域 [0001]本实用新型属于LED技 术领域， 具体的涉及一种增强中心光强的COB模组光源。 背景技术 [0002]随着LED半导体照明技术的普及， 越来越多的照明设计使用发光二极管光源， 同时 由于节能， 环保， 体积小等优势， 使得其在通用照明、 特种照明、 汽车照明等领域衍生出越来 越多的应用设计方案 。 [0003]在LED实际应用中， 一些灯具如筒灯， 射灯， 轨道灯， 应用于局部照明， 对于中心光 强或中心照度的要求日益增高， 特别是15 °、 20°这些小角度的灯具。 目前大部分的LED灯具 是通过LED 外部的二次光学设计达到在中心聚光的效果， 增加中心 光强或者中心照度， 比如 透镜、 反射杯或将LED置于凹槽反射的方法； 在Level  1光源级别上， COB则是通过增加中心 区域的发光 二极管的数量， 密集 排布， 以达 到增加中心光强的效果。 [0004]COB模组光源， 是将发光二极管芯片直接布置在金属、 陶瓷或者复合材料的基板上 的高光效集 成面光源， 发光角度基本普遍都是120 °， 光线出光主要集中在 ±60°的中心区域 范围内， 故不能很好地聚焦在更小的一个中心区域内， 这样 中心区域能有效利用的光线就 减少了很多， 没有达 到很高的中心光强的效果， 参 考图1。 [0005]增加中心区域发光二极管的数量， 加密排布， 可以增加中心区域的亮度输出， 以达 到增大中心光强的效果， 但是在一定的中心 区域内增加发光二极管数量， 缩短发光二极管 间的间隙， 会导 致： [0006]1)发光二极管与发光 二极管间的间隙过小， 阻碍出光。 [0007]2)中心区域的热量 集中， 散热不均匀。 [0008]3)影响COB模组光源的亮度维持率/寿命， 参 考图2。 实用新型内容 [0009]为了克服现有技术的上述缺点， 本实用新型的目的在于提供一种增强中心光强的 COB模组光源， 旨在解决现有技 术存在的封装尺寸大、 封装 亮度下降的问题。 [0010]本实用新型为达 到其目的， 所采用的技 术方案如下： [0011]一种增强中心光强的COB模组光源， 包括： [0012]基板、 线路层、 至少一发光 二极管芯片； [0013]所述线路层布置 于所述基板， 所述发光 二极管芯片布置 于所述线路层； [0014]所述发光 二极管芯片自所述基板的中心呈发散状由内向外设置； [0015]在所述发光 二极管芯片处设有将其包裹住的硅胶质荧 光体。 [0016]优选的， 所述硅胶质荧光体为与单个所述发光二极管芯片相对应包裹的硅胶帽， 所述硅胶帽包裹于所述发光二极管芯片的四个侧面以及顶面， 所述硅胶帽内设有一种或多 种荧光转换材料。 [0017]优选的， 所述硅胶帽采用透明硅胶、 硅树脂、 环氧树脂一种或者几种组合的硅胶说　明　书 1/4 页 3 CN 217356526 U 3